商报讯（记者 叶晓珺）国产光刻机迎来重大进展。昨日，光刻机概念股集体大涨，其中，张江高科、同飞股份、海立股份竞相涨停，富乐德、蓝英装备涨超10%，东方嘉盛、国林科技、京华激光、凯美特气、波长光电等涨超5%。据悉，此番光刻机板块逆势爆发与国产光刻机技术突破有关。
国产DUV光刻机问世，相关概念股爆发
盘面上，昨日光刻机（胶）概念盘初就开始活跃，当日9时34分，同飞股份20cm涨停，海立股份、凯美特气、张江高科涨停，蓝英装备、钢研纳克等涨超10%。
截至昨日收盘，iFinD数据显示，31只光刻机概念股仅美埃科技下跌，其他30只概念股半数涨超4%。其中，同飞股份、波长光电收20cm涨幅，新莱应材、蓝英装备、海立股份、凯美特气、张江高科、京华激光涨停，联合光电、苏大维格、东方嘉盛、国林科技、茂莱光学涨逾5%。
消息面上，为促进首台(套)重大技术装备创新发展和推广应用，加强产业、财政、金融、科技等国家支持政策的协同，工业和信息化部近日印发《首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)》，在重大技术装备文件列表中，列出了氟化氪光刻机和氟化氩光刻机。其中，氟化氩光刻机的核心技术指标为：光源193纳米，分辨率≤65nm，套刻≤8nm。TechWeb认为，从该技术指标来看，国产光刻机已取得重大突破。
此次推广的氟化氩光刻机套刻≤8nm，套刻精度就是常说的“多重曝光能达到的最高精度”，按套刻精度与量产工艺1∶3的关系，这个光刻机大概可以量产28nm工艺的芯片。
业内人士表示，28nm虽然不是特别先进的技术，但意义依然重大，因为这是芯片中低端和中高端的分界线，目前除了最先进的CPU、GPU、AI芯片外，其余的工业级芯片大多都是28nm以上技术。这意味着28nm以上制程的成熟芯片有望实现全流程国产化，在中低端芯片市场上，中国的量产能力将不再受制约，可以自主生产销售。
业内看好半导体设备的国产化机遇
光刻机技术是半导体工艺中的关键，决定了芯片晶体管尺寸大小，直接影响芯片性能和功耗。今年以来，国内光刻设备及曝光工艺公开信息逐渐增多。
按照时间来梳理，今年3月，华为公开四重曝光工艺技术改进优化的专利；6月20日，工信部发布《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》公示稿（后于9月9日正式发布）；9月10日，上海微电子公开“极紫外辐射发生装置及光刻设备”的专利。
可以看出，国产光刻机技术持续迎来突破，机构皆看好国内晶圆厂的投资增长和国产半导体设备的国产化机遇。
申万宏源证券认为，官方披露核心设备进展提振市场信心，国产光刻机相关产业链受益，国内晶圆厂扩产自主可控可期，国产半导体设备整体受益。
光刻机对国内半导体行业发展及集成电路产业链自主可控重要性日益凸显。除了光刻机，《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录（2024年版）》还涉及多类集成电路生产装备，包括硅外延炉、湿法清洗机、氧化炉、涂胶显影机、高能离子注入机、低能离子注入机、等离子干法刻蚀机、特种金属膜层刻蚀机等。