本报讯（记者 沈晓颜 通讯员 沈宇翔）在全球人工智能与新能源高速发展的背景下，支撑算力与能源转换的关键——高功率电源急需升级。被誉为“下一代半导体材料”的GaN（氮化镓）潜力巨大，但因稳定性和控制难度等瓶颈，长期难以突破高功率工业应用的“最后一公里”。如今，这一困局被湖州德清的一家年轻科技企业——湖州镓奥科技有限公司（以下简称“镓奥科技”）打破。
“这不是灵光一现的突破，而是四年如一日的技术攻坚。”镓奥科技负责人坦言。自2021年起，镓奥科技团队聚焦GaN在高功率场景下的可靠性难题，通过数十轮严苛测试，最终成功研制出国内首台5000W至7000W级别的“负压直驱”GaN封装样机。
所谓“负压直驱”，通俗来说，就是为高速运行的GaN器件装上一套“智能缰绳”。传统GaN在高功率下容易“失控”，而这项技术通过精确施加负电压，有效提升开关稳定性和整体可靠性，让这匹“烈马”既能跑得快，也能刹得住。
凭借这一突破性成果，去年12月，镓奥科技在第八届莫干山全球高层次人才创新创业大赛中脱颖而出，斩获冠军。项目落地湖州莫干山高新区后，迅速获得数千万元融资和政策支持，加速从实验室走向产业化。
“我们不只是做一个芯片，更是在打造一个国产GaN生态。”镓奥科技负责人表示。目前，镓奥科技已掌握中大功率GaN芯片及模组的全链条自主知识产权，核心技术实现“国产替代+国产设计”双轮驱动，产品精准切入人工智能服务器电源、新能源汽车充电、光伏逆变器等高增长赛道。